Transistörlerin gelişimi

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd(SCitec), telefon aksesuarları üretimi ve satışı konusunda uzmanlaşmış bir yüksek teknoloji kuruluşudur. Ana ürünlerimiz seyahat şarj cihazlarını, araç şarj cihazlarını, USB kablolarını, güç bankalarını ve diğer dijital ürünleri içerir. Tüm ürünler benzersiz stillere sahip, güvenli ve güvenilirdir. Ürünler CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick vb. gibi sertifikaları geçer. , İlgileniyorsanız doğrudan ceo@schitec.com ile iletişime geçebilirsiniz. 

SChitec ile Güvenle Şarj Edin

Transistörlerin gelişimi

1) Vakum triyodu

Şubat 1939'da Bell Laboratuvarları büyük bir keşif gerçekleştirdi; silikon p_n bağlantısının doğuşu. 1942'de Purdue Üniversitesi Lark_Horovitz liderliğindeki bir gruptan Seymour Benzer adlı bir öğrenci, germanyum tek kristallerinin diğer yarı iletkenlerde bulunmayan mükemmel doğrultma özelliklerine sahip olduğunu buldu. Bu iki bulgu ABD hükümetinin gereksinimlerini karşıladı ve daha sonra transistörlerin icat edilmesinin temelini attı.

2) Nokta kontak transistörü

1945'te İkinci Dünya Savaşı'nın sonunda, Shockley ve diğerleri tarafından icat edilen nokta temaslı transistörler, insan mikroelektronik devriminin öncüleri oldu. Bu amaçla Shockley, Bell'e ilk transistörün patentini sundu. Sonunda ilk transistör patenti için yetkilendirildim.

3) Çift kutuplu ve tek kutuplu transistörler

Bipolar transistörlere dayanarak, Shockley ayrıca 1952'de bugün açıklanan bağlantı transistörü olan tek kutuplu bağlantı transistörü kavramını önerdi. Yapı, bir pnp veya npn bipolar transistörünkine benzer, ancak kapı ile kaynak-drenaj iletken kanalı arasında bir doğrultucu kontak oluşturmak için p_n malzemesinin arayüzünde bir tükenme katmanı vardır. Her iki uçtaki yarı iletken bir kapı görevi görür. Kaynak ile drenaj arasındaki akımı geçitten ayarlayın

4) Silikon transistör

Fairchild Semiconductor, birkaç kişiden oluşan bir şirketten 12.000 çalışanı olan büyük bir şirkete dönüştü.

5) Entegre devre

1954 yılında silikon transistörlerin icat edilmesinden sonra, transistörlerin geniş uygulama olanakları giderek daha belirgin hale geldi. Bilim adamlarının bir sonraki hedefi transistörleri, kabloları ve diğer cihazları daha verimli bir şekilde nasıl bağlayacaklarıdır.

6) Alan etkili transistör ve MOS tüpü

1961'de MOS tüpünün doğuşu. 1962'de RCA cihaz entegrasyonu araştırma grubunda çalışan Stanley, Heiman ve Hofstein, transistörlerin iletken şeritlerin, yüksek dirençli kanal bölgelerinin ve Si substratları üzerinde oluşturulan oksit katmanlı yalıtım katmanlarının difüzyonu ve termal oksidasyonu ile yapılabileceğini keşfettiler. . Tüp [ .