SiC yüksek gerilim SBD

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd(SCitec), telefon aksesuarları üretimi ve satışı konusunda uzmanlaşmış bir yüksek teknoloji kuruluşudur. Ana ürünlerimiz arasında seyahat şarj cihazları, araç şarj cihazları, USB kabloları, güç bankaları ve diğer dijital ürünler bulunmaktadır. Tüm ürünler benzersiz stillere sahip, güvenli ve güvenilirdir. Ürünler CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick vb. gibi sertifikaları geçer. , İlgileniyorsanız doğrudan ceo@schitec.com ile iletişime geçebilirsiniz.

SChitec ile Güvenle Şarj Edin

SiC yüksek gerilim SBD

Si ve GaAs'ın bariyer yüksekliği ve kritik elektrik alanı geniş bantlı yarı iletkeninkinden daha düşük olduğundan, Si ve GaAs'tan yapılmış SBD'nin arıza voltajı ve ters kaçak akımı daha düşük ve daha büyüktür. Silisyum karbür (SIC) malzemesi geniş bir bant aralığına (2.2ev-3.2ev), yüksek kritik arıza elektrik alanına (2V/cm-4 × 106v/cm), yüksek doyma hızına (2) sahiptir. × 107cm / s), 4,9w / (cm · K) yüksek ısı iletkenliği, güçlü kimyasal korozyon direnci, yüksek sertlik ve nispeten olgun bir malzeme hazırlama ve üretim süreci. Yüksek voltaj direnci, düşük ileri voltaj düşüşü ve yüksek anahtarlama hızı ile SBD yapımı için ideal bir yeni malzemedir.

1999 yılında Amerika Birleşik Devletleri Purdue Üniversitesi, Amerika Birleşik Devletleri Donanması tarafından finanse edilen Muri projesinde 4.9kv SiC Power SBD'yi geliştirdi ve bu, SBD voltaj dayanımında temel bir atılım yaptı. SBD'nin ileri voltaj düşüşü ve ters kaçak akımı, güç kaybını doğrudan etkiler. SBD doğrultucu ve sistem verimliliği. Düşük ileri voltajın düşük Schottky bariyer yüksekliği gerektirmesi ve yüksek ters arıza voltajının mümkün olduğunca yüksek bariyer yüksekliği gerektirmesi çelişkilidir. Bu nedenle bariyer metalinin seçimi çok önemlidir çünkü bunun bir uzlaşma olarak değerlendirilmesi gerekir. Ni ve Ti, n-tipi SiC için ideal Schottky bariyer metalleridir. Ni / SiC'nin bariyer yüksekliği Ti / SiC'den daha yüksek olduğundan, birincisi daha düşük ters kaçak akıma sahiptir ve ikincisi daha küçük ileri voltaj düşüşüne sahiptir. Düşük ileri gerilim ve ters kaçak akıma sahip sicsbd'yi elde etmek için Ni kontaklı ve Ti kontaklı ve yüksek/düşük bariyerli bimetal oluk (DMT) yapısına sahip sicsbd'nin tasarımı mümkündür. Bu yapı ile sicsbd'nin ters kaçak akımı, 300V ters öngerilimdeki düzlemsel Ti Schottky doğrultucununkinden 75 kat daha küçüktür ve ileri kaçak akımı nisbd'ninkine benzerdir. Koruyucu halkalı 6h sicsbd kullanıldığında arıza voltajı 550V'a kadar çıkar.

Raporlara göre cmzetterling ve ark. 6 saatlik SiC substratı üzerinde epitakslenmiş 10 μ m n tipi katman ve ardından iyon implantasyonuyla bir dizi paralel P + şerit oluşturuldu. Üst bariyer metali ti'dir. Bu yapı Şekil 2'deki bağlantı bariyeri Schottky (JBS) cihazınınkine benzemektedir. İleri karakteristikleri Ti Schottky bariyerininkiyle aynıdır ve ters kaçak akımı PN ile Ti Schottky bariyeri arasındadır. Açık durum direnç yoğunluğu 20 m Ω· cm2, engelleme voltajı 1,1 kV ve kaçak akım yoğunluğu 200 V ters öngerilim altında 10 μ A/cm2'dir. Ayrıca R. rayhunathon, p-tipi 4H?'nin geliştirme sonuçlarını da bildirdi. Sicsbd ve 6h? Sicsbd. Metal bariyer olarak Ti içeren p tipi 4h-sicsbd ve 6h-sicsbd'nin ters arıza voltajı sırasıyla 600V ve 540V'dir ve 100V ters öngerilim altında kaçak akım yoğunluğu 0,1 μ A / cm2'den (25 derece) azdır.

SiC, güç yarı iletken cihazları yapmak için ideal bir malzemedir. 4 Mayıs 2000'de, Amerika Birleşik Devletleri'nden Cree ve Japonya'dan Kansai Elektrik Enerjisi Şirketi, 100A / cm2 akım yoğunluğunda 4,9v ileri voltaj düşüşüne sahip 12,3kv SiC güç diyotlarının başarılı bir şekilde geliştirildiğini ortaklaşa duyurdu. Bu, SiC malzemesinin güç diyotları yapımında ne kadar büyük bir güce sahip olduğunu tam olarak göstermektedir.

SBD'de SiC ve JBS yapısına sahip cihazlar büyük bir gelişme potansiyeline sahiptir. Yüksek voltajlı güç diyotları alanında SBD kesinlikle bir yer işgal edecektir.