Güç transistörü ve fotoğraf transistörü
Nov 05, 2019| SChitec ile Güvenle Şarj Edin
Güç transistörü ve fotoğraf transistörü
Güç transistörü, İngiliz Dev Transistörü tarafından kelimenin tam anlamıyla dev bir transistöre çevrildi. Yüksek voltaja ve yüksek akıma dayanıklı bir Bipolar Bağlantı Transistörüdür (BJT), bu nedenle bazen Güç BJT olarak da adlandırılır. Özellikleri şunlardır: yüksek dayanım gerilimi. Akım büyük, anahtarlama özellikleri iyi, ancak sürüş devresi karmaşık ve sürüş gücü büyük; GTR ve sıradan bipolar bağlantı transistörünün çalışma prensibi aynıdır.
Fototransistör
Bir fototransistör, bipolar transistör veya alan etkili transistör gibi üç terminalli bir cihazdan oluşan bir fotovoltaik cihazdır. Işık, bu tür cihazların aktif bölgesinde emilir ve dahili bir elektriksel amplifikasyon mekanizması yoluyla fotoakım kazancı üreten foto-üretilmiş taşıyıcılar üretilir. Fototransistör üç uçta çalışır, böylece elektronik kontrol veya elektriksel senkronizasyon elde etmek kolaydır. Fototransistörler için kullanılan malzeme genellikle galyum arsenittir (GaAs), esas olarak bipolar fototransistörler, alan etkili fototransistörler ve ilgili cihazlara ayrılır. Bipolar fototransistörler tipik olarak yüksek kazançlara sahiptir ancak çok hızlı değildir. GaAs-GaAlAs için amplifikasyon faktörü 1000'den büyük olabilir ve tepki süresi nanosaniyeden uzun olabilir. Yaygın olarak fotodedektörlerde ve optik amplifikasyonda kullanılır. Alan etkili fototransistörün tepki hızı yüksektir (yaklaşık 50 pikosaniye), ancak dezavantajı ışığa duyarlı alanın küçük olması ve kazancın küçük olmasıdır (amplifikasyon faktörü 10'dan büyük olabilir), bu genellikle çok yüksek bir hız olarak kullanılır. fotodetektör. Bununla birlikte, yüksek hız (onlarca pikosaniyelik tepki süresi) ile karakterize edilen ve entegrasyona uygun birçok başka düzlemsel optoelektronik cihaz da vardır. Bu tür cihazların optoelektronik entegrasyonda uygulama bulması bekleniyor.


